[发明专利]形成硫属化合物薄膜的方法

摘要

本发明是关于一种形成用于相变存储器的硫属化合物薄膜的方法。在根据本发明的形成硫属化合物薄膜的方法中，将其中形成有图案的基板载入至反应器中，以及将源气体供应至基板。此处，源气体包括选自锗源气体、镓源气体、铟源气体、硒源气体、锑源气体、碲源气体、锡源气体、银源气体及硫源气体的至少一者。第一冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的源气体，然后将用于还原源气体的反应气体供应至基板，以及将第二冲洗气体供应至基板以便冲洗供应至基板的反应气体。至少一次操作，即以此方式执行改变第一冲洗气体的供应时间及/或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的沉积速度大于在图案上部的沉积速度。根据本发明，藉由以此方式改变源气体的冲洗时间或调节反应器内部的压力，使得在图案内部的薄膜形成速度大于在图案上部的薄膜形成速度。

主权项

一种形成硫属化合物薄膜的方法，其特征在于，所述方法包含：将其中形成有图案的基板载入至反应器中；将源气体供应至所述基板；将第一冲洗气体供应至所述基板，以便冲洗供应至所述基板的所述源气体；将用于还原所述源气体的反应气体供应至所述基板；将第二冲洗气体供应至所述基板，以便冲洗供应至所述基板的所述反应气体；以及重复地执行包含由所述供应所述源气体至所述供应所述第二冲洗气体间各项的循环，其中所述源气体由选自包括锗基气体、镓基气体、铟基气体、硒基气体、锑基气体、碲基气体、锡基气体、银基气体及硫基气体的族群之一或多者形成，且其中执行改变供应所述第一冲洗气体的时间以及调节所述反应器内部的压力的操作中的至少一者，使得所述图案内部的沉积速率大于所述图案上部的沉积速率。