[发明专利]晶圆处理沉积屏蔽构件有效
申请号: | 200980113536.1 | 申请日: | 2009-04-14 |
公开(公告)号: | CN102007572A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 马丁·李·瑞勒;基斯·A·米勒;阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中,提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括:圆柱状外带,其具有第一直径,该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件,该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁;支撑壁架,其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸;基座板,其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸;以及圆柱状内带,其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。 | ||
搜索关键词: | 处理 沉积 屏蔽 构件 | ||
【主权项】:
一种下屏蔽件,其用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件,包括:圆柱状外带,其具有第一直径,所述第一直径的尺寸确定为围绕所述溅镀靶材的溅镀表面以及所述基板支撑件,所述圆柱外带包括:上壁,其环绕所述溅镀靶材的溅镀表面;以及下壁,其环绕所述基板支撑件;支撑壁架,其包括支承表面并从所述圆柱状外带向外径向地延伸;基座板,其从所述圆柱状外带的所述下壁向内径向地延伸;以及圆柱状内带,其与所述基座板相连接并部分环绕所述基板支撑件的周围边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造