[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 200980113887.2 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102017096A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 辻德彦;诸井政幸;泽地淳;河东进 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种成膜装置,通过在真空容器内,多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环,而在基板的表面将薄膜成膜,其特征在于,具有:设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件;与上述多个下部件分别对置地设置,在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件;用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部;以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部;沿上述处理空间的周向形成,用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部;用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其通过在真空容器内,多次执行将第一反应气体和第二反应气体交替地供给并排气的循环,来使上述反应气体发生反应而在基板的表面上将薄膜成膜,其特征在于,具有:多个下部件,它们设置在上述真空容器内,各自包含基板的载置区域;多个上部件,它们分别与上述多个下部件对置地设置,在与上述载置区域之间形成处理空间;第一反应气体供给部以及第二反应气体供给部,它们用于向上述处理空间内分别供给第一反应气体和第二反应气体;吹扫气体供给部,其用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给上述第二反应气体的时刻之间,向上述处理空间内供给吹扫气体;排气用开口部,其沿上述处理空间的周向形成,用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛;真空排气机构,其用于经上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛对上述处理空间进行真空排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造