[发明专利]制造Si(1-v-w-x)CwA1xNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwA1xNv衬底以及外延晶片

摘要

本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。

主权项

一种制造Si(1‑v‑w‑x)CwAlxNv衬底的方法，所述方法包括如下步骤：准备异质衬底；以及在所述异质衬底上生长具有主面的Si(1‑v‑w‑x)CwAlxNv层(0≤v≤1，0≤w≤1，0≤x≤1，且0≤v+w+x≤1)，其中在所述Si(1‑v‑w‑x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v为0＜x+v＜1，所述组成比x+v沿着自所述Si(1‑v‑w‑x)CwAlxNv层与所述异质衬底之间的界面至所述主面的方向单调增大或减小，且在所述Si(1‑v‑w‑x)CwAlxNv层与所述异质衬底之间的界面处的组成比x+v比所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底的材料的组成比x+v。