[发明专利]纳米线围栅装置无效
| 申请号： | 200980114203.0 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102007067A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | J·奥尔森;L·萨穆尔森;E·林德 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/775;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;王洪斌 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括至少第一半导体纳米线(105)的半导体装置，其中具有第一导电类型的第一纵长区(121)、第二导电类型的第二纵长区(122)以及设置在纳米线(105)的第一区(121)以便在将电压施加到第一围栅电极(111)时改变第一纵长区(121)中的载荷子浓度的至少第一围栅电极(111)。优选地，第二围栅电极(112)设置在第二纵长区(122)。由此，可实现可调人工结(114)，而无需纳米线(105)的实质掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 线围栅 装置 | ||
【主权项】：
一种包括至少第一半导体纳米线(105)的半导体装置，其特征在于，所述第一纳米线(105)包括第一导电类型的第一纵长区(121)、第二导电类型的第二纵长区(122)以及设置在所述纳米线(105)的所述第一区(121)以便在将电压施加到第一围栅电极(111)时改变与所述第一纵长区(121)关联的所述纳米线(105)的至少第一部分(101)中载荷子浓度的所述至少第一围栅电极(111)。
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