[发明专利]具有补强结构的管芯衬底有效
申请号: | 200980114217.2 | 申请日: | 2009-03-19 |
公开(公告)号: | CN102017131A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | R·托帕奇勒;A·兹布泽宗 | 申请(专利权)人: | ATI技术无限责任公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/16;H01L23/31 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本发明揭露不同的具有补强的半导体芯片封装及其制造方法。在一方面,本发明提供的制造方法包含提供封装衬底,所述封装衬底具有第一侧以及和所述第一侧对立的第二侧。所述第一侧具有中心区域,用以接收半导体芯片。在所述中心区域外部的封装衬底的所述第一侧上,形成焊料补强结构,以抵抗所述封装衬底的弯曲。 | ||
搜索关键词: | 具有 结构 管芯 衬底 | ||
【主权项】:
一种制造方法,包括:提供封装衬底,所述封装衬底具有第一侧与第二侧,所述第二侧与所述第一侧对立,所述第一侧具有用于接收半导体芯片的中心区域;以及在所述中心区域外部的所述封装衬底的所述第一侧上,形成焊料补强结构,用于抵抗所述封装衬底的弯曲。
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