[发明专利]电阻式存储器电路参数调整的系统及方法有效
| 申请号： | 200980114391.7 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102132276A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金圣克;金吉恕;宋哲焕;升·H·康;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示电阻式存储器电路参数调整的系统及方法。在一特定实施例中，一种确定电阻式存储器电路的一组参数的方法包括：基于所述电阻式存储器电路的第一预定设计约束选择第一参数；以及基于所述电阻式存储器电路的第二预定设计约束选择第二参数。所述方法进一步包括执行迭代方法以通过选择性地指派且调整所述电阻式存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数的物理特性以实现所要的读出放大器裕度值来调整所述至少一个电路参数，而不改变所述第一参数或所述第二参数。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 电路 参数 调整 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种确定电阻式存储器电路的一组参数的方法，所述方法包含：基于所述电阻式存储器电路的第一预定设计约束选择第一参数；基于所述电阻式存储器电路的第二预定设计约束选择第二参数；以及执行迭代方法以通过选择性地指派且调整所述电阻式存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数的物理特性以实现所要的读出放大器裕度值来调整所述至少一个电路参数，而不改变所述第一参数或所述第二参数。
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