[发明专利]用于高电流离子注入的低污染低能量束线结构有效
| 申请号： | 200980114412.5 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102017054A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | Y·黄 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种离子注入系统(500)，包括：离子源(502)，其产生沿射束路径(505，507)的离子束(504)；在该离子源的下游的质量分析器组件(514)，其在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔(516)电极，其包括在该质量分析器组件(514)的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；在解析孔电极的下游的偏转元件(518)，其改变该偏转元件射出该离子束(507)的路径；在偏转元件的下游的减速电极(519)，其将该离子束进行减速；支持台，其在终端站(526)中以用于将由带电离子所注入的工件(522)进行保持和定位，以及其中该终端站以大约逆时针8度安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电流 离子 注入 污染 能量 结构 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统，包括：离子源，其产生沿射束路径的离子束；质量分析器组件，其在该离子源的下游，该质量分析器组件在该离子束上进行质量分析与角度修正；解析孔电极，其包括在该质量分析器组件的下游并且沿着该射束路径的至少一个电极，至少一个电极具有根据所选择的质量解析度与射束包络的尺寸与形状；偏转元件，其在该解析孔电极的下游，该偏转元件改变该离子束射出该偏转元件的角度；减速电极，其在该偏转元件的下游，该减速电极进行电荷中和且将该离子束减速；支持台，其在终端站中，以用于将以带电离子进行注入的工件保持和定位；以及其中该终端站以大约逆时针8度进行安装，以致于所偏转的该离子束垂直于该工件。
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