[发明专利]增强模式Ⅲ-N的HEMT有效
| 申请号： | 200980114639.X | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102017160A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 乌梅什·米什拉;罗伯特·科菲;申立坤;伊兰·本-雅各布;普里米特·帕里克 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ⅲ-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 模式 hemt | ||
【主权项】：
一种III‑N半导体器件，包括：衬底；氮化物沟道层，该氮化物沟道层在所述衬底上，并且包括在栅极区域下方的第一沟道区和在所述第一沟道区的相对侧上的两个沟道接入区，所述氮化物沟道层的组分选自由镓、铟和铝的氮化物及其组合组成的组；AlXN层，该AlXN层与所述沟道层相邻，其中X选自由镓、铟或其组合物组成的组；n掺杂GaN层，在与所述沟道接入区相邻的区域中而不在与所述第一沟道区相邻的区域中，该n掺杂GaN层与所述AlXN层相邻；所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在与所述AlXN层相邻的沟道接入区中感生2DEG电荷而在所述第一沟道区中不感生任何实质的2DEG电荷，以使得在切换电压没有施加到所述栅极区域的情况下所述沟道是不导电的，而当大于阈值电压的切换电压施加到所述栅极区域时所述沟道能够容易地变为导电的。
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