[发明专利]微机械的元件以及用于制造微机械的元件的方法无效
| 申请号： | 200980114990.9 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102015523A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | T·布克;M·斯图姆贝尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特.博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨国治;梁冰 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 元件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于制造微机械的元件的方法，其中，对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其特征在于，在蚀刻(去除)所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。
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