[发明专利]用于晶片成像及处理的方法和设备有效

专利信息
申请号: 200980115002.2 申请日: 2009-03-31
公开(公告)号: CN102017191A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 托尔斯滕·特鲁普克;罗伯特·A·巴尔多什 申请(专利权)人: BT成像股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;G01N21/66
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张天舒
地址: 澳大利亚*** 国省代码: 澳大利亚;AU
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摘要: 公开了一种方法(1),其中从原切割或经部分处理的诸如多晶硅晶片之类的带隙材料中捕获(2)发光图像。这些图像随后被处理(3),以提供与带隙材料中的诸如位错之类的缺陷有关的信息。所得到的信息随后被利用(4)来预测由该带隙材料制成的太阳能电池的各种关键参数,例如开路电压和短路电流。该信息还被用来对带隙材料进行分类。该方法还可用来调节或评估诸如退火之类的旨在降低带隙材料中的缺陷密度的附加处理步骤的效果。
搜索关键词: 用于 晶片 成像 处理 方法 设备
【主权项】:
一种对带隙材料进行分析的方法,所述方法包括步骤:(a)捕获所述带隙材料的发光图像;(b)处理所述图像以获取与所述带隙材料中的缺陷有关的信息;以及(c)利用所述信息来对所述带隙材料进行分类。
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