[发明专利]用于晶片成像及处理的方法和设备有效
申请号: | 200980115002.2 | 申请日: | 2009-03-31 |
公开(公告)号: | CN102017191A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 托尔斯滕·特鲁普克;罗伯特·A·巴尔多什 | 申请(专利权)人: | BT成像股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01N21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | 公开了一种方法(1),其中从原切割或经部分处理的诸如多晶硅晶片之类的带隙材料中捕获(2)发光图像。这些图像随后被处理(3),以提供与带隙材料中的诸如位错之类的缺陷有关的信息。所得到的信息随后被利用(4)来预测由该带隙材料制成的太阳能电池的各种关键参数,例如开路电压和短路电流。该信息还被用来对带隙材料进行分类。该方法还可用来调节或评估诸如退火之类的旨在降低带隙材料中的缺陷密度的附加处理步骤的效果。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶片 成像 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种对带隙材料进行分析的方法,所述方法包括步骤:(a)捕获所述带隙材料的发光图像;(b)处理所述图像以获取与所述带隙材料中的缺陷有关的信息;以及(c)利用所述信息来对所述带隙材料进行分类。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的