[发明专利]固态成像装置有效
申请号: | 200980115035.7 | 申请日: | 2009-04-23 |
公开(公告)号: | CN102017149A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 山下雄一郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在固态成像装置中,载流子保持部(102)被布置在相对于光电转换部(101)沿第一方向(201)的位置处,浮置扩散区域(103)被布置在相对于载流子保持部沿与第一方向垂直的第二方向(202)的位置处,并且传输部(105)被夹在浮置扩散区域和载流子保持部之间,包括在第一像素中的载流子保持部被布置在包括在第一像素中的光电转换部和包括在第二像素中的光电转换部之间,包括在第一像素内的载流子保持部被遮光部(303,304)覆盖,并且所述遮光部在包括在第一像素和第二像素中的各光电转换部的一部分上延伸。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括在半导体基板上二维布置的多个像素,其中每个像素包括光电转换部,用于产生信号载流子;能够保持信号载流子的载流子保持部,所述载流子保持部具有能够积累信号载流子的第一导电类型的半导体区域以及布置在所述半导体区域上方的控制电极,在所述半导体区域和所述控制电极之间夹有绝缘膜;第一导电类型的浮置扩散区域;以及传输部,用于控制所述第一导电类型的半导体区域和所述浮置扩散区域之间的电连接,其中在同一像素内,所述第一导电类型的半导体区域被布置在相对于所述光电转换部沿第一方向的位置处,所述浮置扩散区域被布置在相对于所述第一导电类型的半导体区域沿垂直于第一方向的第二方向的位置处,所述传输部被夹在所述浮置扩散区域和所述第一导电类型的半导体区域之间,所述多个像素包括第一像素和沿所述第一方向与第一像素相邻布置的第二像素,包括在第一像素中的所述第一导电类型的半导体区域被布置在包括在第一像素和第二像素中的光电转换部之间,包括在第一像素中的载流子保持部被遮光部覆盖,并且所述遮光部在第一像素和第二像素的各光电转换部的一部分上方延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的