[发明专利]顺序冲切方法有效
| 申请号： | 200980115233.3 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102017092A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁卡特;M·米热特;S·莫利纳里;E·内雷 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了冲切结构(500)的方法，该结构(500)包括键合到第二晶片(300)的第一晶片(200)，该第一晶片(200)具有削边。该方法包括在包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第一深度(Pd1)以及距离该第一晶片(101)的边缘的第一宽度(ld1)上执行的第一冲切步骤(S4)。也在至少包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第二深度(Pd2)以及小于第一宽度(ld1)的第二宽度(ld2)上执行第二冲切步骤(S5)。 | ||
| 搜索关键词： | 顺序 方法 | ||
【主权项】：
一种冲切结构(100)的冲切方法，该结构(100)包括键合到第二晶片(102)的第一晶片(101)，该第一晶片(101)具有削边(104、105)；其特征在于：该方法包括第一冲切步骤，其在包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第一深度(Pd1)上执行，所述第一冲切步骤也在距离该第一晶片(101)的边缘的第一预定宽度(ld1)处执行；以及至少一个第二冲切步骤，其在至少包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第二深度(Pd2)上执行，所述第二冲切步骤也在小于该第一宽度(ld1)的第二宽度(ld2)上执行。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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