[发明专利]三维集成电路横向散热有效
| 申请号： | 200980115289.9 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102017139A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 肯尼斯·卡斯考恩;顾士群;马修·M·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过用热传导材料(320)填充堆叠的IC装置的层(31、32)之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔(331)构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置(310)的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 横向 散热 | ||
【主权项】：
一种多分层半导体，其包含：第一及第二层，其具有构造于其中的元件；以及第一热传导材料，其安置于所述第一与第二层之间，其中所述第一材料具有比所述第一及第二层的热传导率高的热传导率。
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