[发明专利]低轮廓性的工艺套组有效
| 申请号： | 200980115595.2 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102017122A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | M·M·拉希德;T·伊瓦施塔;H·欧塔克;Y·科加;K·梅哈拉;X·陈;S·贡德哈利卡;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此提供一种用在一半导体工艺腔室的基材支撑件上的工艺套组。在某些实施例中，此一用于半导体工艺腔室的工艺套组包括一大致水平的环形主体，其具有一内侧边缘与一外侧边缘以及一上表面与一下表面；一内凸缘，配置于该内侧边缘附近，且由该上表面垂直向上延伸；一外凸缘，配置于该外侧边缘附近，且位于该下表面上，且具有与一基材支撑座表面相符的形状。在某些实施例中，用于半导体工艺腔室的工艺套组的一工艺套组包括一环形主体，该环形主体具有一内侧边缘与一外侧边缘以及一上表面与一下表面，该上表面是由该内侧边缘向该外侧边缘以径向朝外且往下约5-65度的方式配置。 | ||
| 搜索关键词： | 轮廓 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于半导体工艺腔室的工艺套组，包括：大致水平的环形主体，且具有内侧边缘与外侧边缘以及上表面与下表面；内凸缘，配置于该内侧边缘附近，且由该上表面垂直向上延伸至少0.1英寸；以及外凸缘，配置于该外侧边缘附近，且位于该下表面上，且具有与基材支撑座表面相符的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
