[发明专利]校准非振动式接触电势差测量结果以检测垂直于传感器运动方向的表面变化有效
申请号: | 200980115697.4 | 申请日: | 2009-04-28 |
公开(公告)号: | CN102017117A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 马克·A·舒尔策;威廉·R·厄斯里 | 申请(专利权)人: | Q概念技术公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种利用非振动式接触电势差探头和振动式接触电势差探头确定晶片表面接触电势差的方法和系统。所述方法和系统涉及利用非振动式接触电势差传感器扫描晶片表面,将产生的数据积分并缩放,并向个别数据轨迹应用偏移量,从而将积分并缩放的数据与利用振动式接触电势差传感器获得的测量结果匹配。 | ||
搜索关键词: | 校准 振动 接触电势差 测量 结果 检测 垂直 传感器 运动 方向 表面 变化 | ||
【主权项】:
一种确定材料表面接触电势差以表征所述表面的性能的方法,包括步骤:提供材料表面;提供具有传感器探头尖端的接触电势差传感器;相对于彼此扫描所述表面和所述接触电势差传感器;所述传感器探头尖端相对于材料表面横向扫描,产生表示所述传感器探头尖端和材料表面之间接触电势差变化的横向扫描传感器数据;处理所述横向扫描传感器数据,以提供相对接触电势差值;利用振动式接触电势差传感器对所述横向扫描表面的绝对接触电势差进行至少一次测量;以及利用所述绝对接触电势差数据来计算偏移量,所述偏移量增加到所述相对接触电势值中,以产生表示所述传感器探头尖端和所述横向扫描表面上的所有点之间的接触电势差的特征数据,由此来表征所述材料表面的性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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