[发明专利]半导体掩埋型光栅制造方法无效
| 申请号： | 200980115752.X | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102017064A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | Y·李;K·宋;N·J·维索弗斯基;C·扎 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 樊云飞;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用来在半导体激光器结构中形成光栅轮廓的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片包括晶片基片，置于所述晶片基片上的蚀刻停止层，置于所述蚀刻停止层上的光栅层，置于所述光栅层上的蚀刻掩模层，以及置于所述蚀刻掩模层上的光刻胶层；形成光刻胶光栅图案；通过干蚀刻将所述光刻胶光栅图案转移到所述光栅层中；除去所述光刻胶层；对所述光栅层进行选择性湿蚀刻，从而在光栅层中形成光栅轮廓。通过在所述蚀刻掩模层和蚀刻停止层之间设置光栅层，对选择性湿蚀刻步骤加以控制。所述方法还包括在不改变所述光栅轮廓的前提下，通过选择性湿蚀刻除去所述蚀刻掩模层，再生长上覆层，从而制得所述半导体激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 掩埋 光栅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体激光器结构中形成光栅轮廓的方法，该方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括晶片基片，置于所述晶片基片上的蚀刻停止层，置于所述蚀刻停止层上的光栅层，置于所述光栅层上的蚀刻掩模层，以及置于所述蚀刻掩模层上的光刻胶层，其中，所述晶片基片包括活性激光产生区域；在所述光刻胶层中形成光刻胶光栅图案；通过干蚀刻将所述光刻胶光栅图案转移到所述光栅层中；除去所述光刻胶层；对所述光栅层进行选择性湿蚀刻，以在光栅层中形成所述光栅轮廓，其中通过在蚀刻掩模层和蚀刻停止层之间设置光栅层，对选择性湿蚀刻加以控制；通过选择性湿蚀刻，在不改变光栅层的光栅轮廓的前提下除去所述蚀刻掩模层；以及在所述光栅层上再生长上覆层，以制得所述半导体激光器结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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