[发明专利]多电压静电放电保护

摘要

本发明涉及一种静电放电(ESD)箝位器(41，51，61，71，81，91)，其跨接在被保护的半导体SC设备或IC(24)的输入-输出(I/O)端子(22)和公共(GND)(23)端子之间，包括具有源极-漏极(26，27)的ESD晶体管(ESDT)(25)，其连接在GND(23)和I/O(22)之间，连接在栅极(28)和源极(26)之间的第一电阻(30)，以及连接在ESDT体(29)和源极(26)之间的第二电阻(32)。与电阻(30，32)并联的是控制晶体管(35，35’)，其栅极(38，38’)连接到一个或多个偏压电源Vb，Vb’。设备或IC(24)的主电源干线(Vdd)为用于Vb，Vb’的便利电压源。当在运输、操作、设备组装等期间Vdd关断时，ESD触发电压Vt1为低，从而在高ESD危险的情况下提供最大的ESD保护。当Vdd被激活，Vt1升高到一个足够大的值以能够避免干扰正常电路操作同时仍然执行ESD事件保护。在正常操作期间通过ESDT(25)的寄生漏电大幅减小。

主权项

一种包括有静电放电(ESD)箝位器的电子设备，所述箝位器连接在被包括于所述电子设备中的被保护的半导体设备或集成电路的第一和第二端子之间，所述电子设备包括：具有源极、漏极、栅极和体的第一ESD晶体管，其中所述第一ESD晶体管的所述源极连接到所述第二端子并且所述第一ESD晶体管的所述漏极连接到所述第一端子；连接在所述第一ESD晶体管的所述栅极和所述源极之间的第一电阻；连接在所述第一ESD晶体管的所述体和所述源极之间的第二电阻；和具有源极、漏极和栅极的第一和第二控制晶体管，其中所述第一控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第一电阻并联连接并且所述第一控制晶体管的所述栅极用来连接到第一偏置电压，并且所述第二控制晶体管的所述源极和所述漏极与所述第二电阻并联连接并且所述第二控制晶体管的所述栅极用来连接到第二偏置电压。