[发明专利]用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法在装载有基材的腔室中供给源气体，从而在基材上沉积多晶硅薄膜，其中所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。所述源气体中的氮基气体与硅基气体的混合比可为0.03以下(但不包含0)。所述薄膜中的氮可为11.3原子％以下(但不包含0)。

主权项

一种用于沉积超细晶粒多晶硅薄膜的方法，所述方法包括；通过在装载有基材的腔室中供给源气体来在所述基材上沉积多晶硅薄膜，其中，所述源气体包含硅基气体、氮基气体和磷基气体。