[发明专利]纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 200980116027.4 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102016128A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | T·科尔内留斯;W·恩辛格;R·纽曼;M·劳贝尔 | 申请（专利权）人： | GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司 |
| 主分类号： | C25D1/08 | 分类号： | C25D1/08;C25D5/18;B01J19/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制备片段化纳米线和具有该片段化纳米线的构件。为了制备纳米线结构元件，优选使用模板基法，在该方法中在纳米孔中进行电化学沉积。由此在模板膜中产生许多纳米线。在纳米线电化学沉积过程中，进行具有由阴极沉积脉冲和阳极反脉冲组成的交替次序的逆变脉冲。由此可以制备片段化的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备纳米线(34)的方法，包括以下步骤：提供具有许多纳米孔(32)的模板(12)，所述纳米孔从第一侧面(12a)直至处于相对侧的第二侧面(12b)贯穿模板(12)，以及在模板(12)的第一侧面(12a)上的阴极层(26a)，在纳米孔(32)中借助电化学沉积培养纳米线(34)，其中，纳米线(34)在纳米孔(32)内生长到阴极层(26a)上，其中，电化学沉积以脉冲方式进行，采用阴极沉积脉冲(212)与在阴极沉积脉冲(212)之间的时间间隔(214)随时间交替的次序，其中，在阴极沉积脉冲(212)期间，在纳米孔(32)中纳米线(34)分别生长一个主片段(34c)，该主片段具有取决于各阴极沉积脉冲(212)持续时间的长度和由纳米孔(32)的直径限定的第一直径，其中，通过阴极沉积脉冲(212)之间的时间间隔(214)分别在纳米孔(32)中在纳米线(34)上产生具有第二直径的连接片段(34d)，其中，第二直径小于第一直径，使得沿纳米线(34)的长度产生具有较粗的主片段(34c)与较细的连接片段(34d)交替的次序的片段化的纳米线(34)，溶解并去除模板(12)以露出片段化的纳米线(34)。
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