[发明专利]光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统有效
申请号: | 200980116081.9 | 申请日: | 2009-05-08 |
公开(公告)号: | CN102017152A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 山下雄一郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光电转换装置,包括:形成光电转换元件的一部分的第一半导体区域;层叠于第一半导体区域上并且形成光电转换元件的一部分的第二半导体区域;从光电转换元件向其传送信号电荷的第三半导体区域;处于第一和第三半导体区域之间并处于第二和第三半导体区域之间、比第一半导体区域更接近主表面、并与第一半导体区域连接的、具有较高的杂质浓度的第一导电类型的第四半导体区域;第四半导体区域之上的第一栅电极,处于主表面上并处于第一栅电极和第四半导体区域之间的绝缘膜;以及,处于第三和第四半导体区域之间并处于绝缘膜之上的第二栅电极。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 使用 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:具有主表面的半导体基板;形成光电转换元件的一部分的第一导电类型的第一半导体区域;层叠于第一半导体区域上并且形成所述光电转换元件的一部分的、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域;从所述光电转换元件向其传送信号电荷的第一导电类型的第三半导体区域;第一导电类型的第四半导体区域,第四半导体区域具有比第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度,第四半导体区域被布置在第一和第三半导体区域之间并被布置在第二和第三半导体区域之间,第四半导体区域被布置为比第一半导体区域更接近所述主表面,并且,第四半导体区域与第一半导体区域连接;被布置在第四半导体区域之上的第一栅电极,绝缘膜被布置在所述主表面上并被布置在第一栅电极和第四半导体区域之间;和被布置在第三和第四半导体区域之间并被布置在所述绝缘膜之上的第二栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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