[发明专利]光学检验系统及方法有效

专利信息
申请号: 200980116093.1 申请日: 2009-04-03
公开(公告)号: CN102016554A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 拉尔斯·马克沃特;拉吉斯瓦·切贝尔;克劳斯·埃克勒;诺伯特·哈伦特 申请(专利权)人: 南达技术公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/95;G01N21/956;G01N21/94
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;孙海龙
地址: 德国温特*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明提供一种晶片检验系统,其具有亮场成像射束路径与暗场成像射束路径,用于获得完整300毫米晶片的亮场图像与暗场图像。该光学系统可用于进行远心成像并且具有低光学像差。所述亮场射束路径与暗场射束路径折叠,使得该系统能够被整合而用于占据具有小覆盖范围的小体积。
搜索关键词: 光学 检验 系统 方法
【主权项】:
一种晶片检验系统,所述晶片检验系统包括:光学系统;晶片支撑体,其用于将具有预定晶片直径的晶片安装在所述光学系统的物平面的区域中;亮场光源;以及图像检测器,所述图像检测器具有设置在所述光学系统的像平面的区域中的辐射敏感基板;其中,所述光学系统提供成像射束路径和亮场照射射束路径,并且包括物镜以及分束器,所述物镜以及所述分束器被设置成:a)使得如下元件按以下顺序设置在所述成像射束路径中:所述物平面、所述物镜、所述分束器和所述辐射敏感基板,以及b)使得如下元件按以下顺序设置在所述亮场照射射束路径中:所述亮场光源、所述分束器、所述物镜和所述物平面;以及其中,满足如下关系中的至少一个:i)被成像到所述辐射敏感基板上的物场的直径大于200毫米,而且从所述物平面到所述像平面的成像射束路径的总延伸长度小于1100毫米;ii)从所述物平面到所述像平面的成像射束路径的总延伸长度除以所述物场直径后小于6.0;以及iii)所述物场直径大于所述晶片直径的0.6倍。
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