[发明专利]磁阻随机存取存储器(MRAM)位单元的阵列结构设计有效
| 申请号： | 200980116359.2 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102017004A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 威廉·H·夏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元。所述位单元包括形成于第一平面中的源极线和形成于第二平面中的位线。所述位线具有与所述源极线的纵轴平行的纵轴，且所述源极线与所述位线的至少一部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 mram 单元 阵列 结构设计 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)位单元，其包含：源极线，其形成于第一平面中；以及位线，其形成于第二平面中，且具有与所述源极线的纵轴平行的纵轴，其中所述源极线与所述位线的至少一部分重叠。
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