[发明专利]包含碳化硅层的层型结构、其制备方法及其用途无效
| 申请号： | 200980116420.3 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102318044A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | A·特劳特;N·瓦格纳;C·H·S·谢 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种层型结构以如下顺序包含：(A)碳化硅层，(B)至少一个(b1)位于碳化硅层(A)的至少一个主表面上、(b2)通过硅氧键和/或硅碳键化学键合到碳化硅层(A)的主体上、(b3)部分或完全覆盖碳化硅层(A)的至少一个主表面和(b4)如与水的接触角低于水与纯碳化硅表面的接触角所示具有比纯碳化硅表面高的极性的层；和(C)至少一个介电层，其部分或完全覆盖层(B)且选自无机和无机-有机杂化物介电层；一种其制备方法和其用途。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 碳化硅 结构 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种层型结构，以如下顺序包含：(A)碳化硅层，(B)至少一个如下层：(b1)位于碳化硅层(A)的至少一个主表面上，(b2)通过硅氧键和/或硅碳键化学键合到碳化硅层(A)的主体上，(b3)部分或完全覆盖碳化硅层(A)的至少一个主表面，(b4)如与水的接触角低于水与纯碳化硅表面的接触角所示具有比纯碳化硅表面高的极性；和(C)至少一个介电层，其部分或完全覆盖层(B)且选自无机和无机‑有机杂化物介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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