[发明专利]用于场发射装置的可共加工的光成像银和碳纳米管组合物及方法无效
| 申请号： | 200980116678.3 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102113080A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | H·杨;L·A·程;T·R·苏斯;C·L·翁 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造场发射装置中的电极和发射体的方法，以及由所述方法制造的装置。本发明还涉及可用于制造场发射装置中的电极和发射体的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 装置 加工 成像 纳米 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种制造场发射装置中的电极和发射体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将光成像导体组合物印刷到基板上，(b)将光成像碳纳米管(CNT)组合物印刷到所述导体组合物上，(c)使所述印刷的基板暴露于紫外光下，(d)使所述曝光的基板显影，以及(e)焙烧所述显影的基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司，未经E.I.内穆尔杜邦公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980116678.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：域名系统查找延迟减少
- 下一篇：计时钟
