[发明专利]下行链路发射功率的自校准有效

专利信息
申请号: 200980117056.2 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN102027786A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: M·亚武兹;F·梅什卡蒂;M·S·厄勒-卡密;S·南达 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H04W52/24 分类号: H04W52/24;H04W52/36;H04W52/40
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 戴开良;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 可以根据接收机所允许的最大接收信号强度和接收机处来自发射节点的总接收信号强度来定义发射功率(例如,最大发射功率)。可以为接入节点(例如,毫微微节点)定义发射功率,以使得在仍能为与接入节点相关联的接入终端提供可接受等级的覆盖范围的情况下,限制在小区(例如,宏小区)中所发生的相应的中断。接入节点可以根据信道测量结果和所定义的覆盖盲区来自主调节其发射功率,以便抑制干扰和执行自校准处理。
搜索关键词: 下行 发射 功率 校准
【主权项】:
一种无线通信方法,包括:确定最大接收信号强度;确定总接收信号强度;以及根据所确定的最大接收信号强度和总接收信号强度,确定发射功率值。
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