[发明专利]具有收缩结构的相变存储器单元有效
| 申请号： | 200980117105.2 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102027597A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克尔·P·瓦奥莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包括具有存储器单元的设备及方法，所述存储器单元具有第一电极及第二电极以及与所述第一及第二电极直接接触的存储器元件。所述存储器元件可包括可编程部分，所述可编程部分具有经配置以在多个相之间改变的材料。所述可编程部分可通过所述存储器元件的第一部分与所述第一电极隔离，且通过所述存储器元件的第二部分与所述第二电极隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 收缩 结构 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种装置，其包含：第一电极及第二电极；以及存储器元件，其与所述第一及第二电极直接接触，所述存储器元件包括可编程部分，所述可编程部分具有经配置以在多个相之间改变的材料，其中所述可编程部分通过所述存储器元件的第一部分与所述第一电极隔离，且其中所述可编程部分通过所述存储器元件的第二部分与所述第二电极隔离。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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