[发明专利]制造多晶硅的方法有效
| 申请号： | 200980117592.2 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102026919A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | A·A·洛弗茨斯 | 申请（专利权）人： | 爱思塔集团 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉;周承泽 |
| 地址： | 俄罗斯*** | 国省代码： | 俄罗斯;RU |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅制造方法。本发明的方法包括通过管道系统向还原反应器供应基于含硅气体的气体混合物，并以形成流出物气体混合物的方式将硅沉淀在加热的表面上。硅沉淀过程基本在至少两个反应器中进行，所述反应器通过用于传输气体混合物的管道系统串联。然后，在进口处将用于所有反应器操作的气体混合物供应到第一反应器中，所述气体混合物连续传递通过所有串联的反应器。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 方法 | ||
【主权项】：
多晶硅制造方法，其包括：通过管道系统将包括含硅气体的气体混合物供应到反应器中；加热反应器中的主体，使硅沉积在这些主体的表面上，在反应器容积中形成输出的气体混合物；同时使用至少两个反应器进行硅沉积；这些反应器通过管道系统一个接一个地连接；在普通制造过程中，将进料气体混合物传输通过这些反应器。
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