[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(A1)具备第1n型半导体层(11)、第2n型半导体层(12)、p型半导体层(13)、沟道(trench)(3)、绝缘层(5)、栅极电极(41)和n型半导体区域(14)，p型半导体层(13)沿着沟道(3)，且具有与第2n型半导体层(12)和n型半导体区域(14)相接的隧道(channel)区域，深度方向x上的上述隧道区域的大小为0.1～0.5μm，上述隧道区域具有峰值杂质浓度为1×1018cm-3左右的高浓度部。利用这种构成，半导体装置(A1)可使导通电阻、绝缘耐压和阈值电压任一值为较好的值。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：具有第一导电型的第一半导体层；设置在该第一半导体层上，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；贯通该第二半导体层，到达所述第一半导体层的沟道；沿着所述沟道的内表面，形成于所述沟道的底部和侧部的绝缘层；通过该绝缘层而与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘，并且至少一部分形成于所述沟道内部的栅极电极；和在所述第二半导体层上，形成于所述沟道周围的具有所述第一导电型的半导体区域，其中所述第二半导体层具有沿着所述沟道，并且与所述第一半导体层和所述半导体区域相接的隧道区域，所述隧道区域在所述沟道深度方向上的大小为0.1～0.5μm，所述隧道区域的峰值杂质浓度在4×1017cm‑3～2×1018cm‑3范围内。