[发明专利]使用前侧照射增强显示面板的缺陷检测有效
申请号: | 200980118535.6 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN102037371A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·托特;劳埃德·琼斯;阿蒂拉·埃尔萨欣;全明铁;萨维尔·法姆;郑森秀 | 申请(专利权)人: | 光子动力学公司 |
主分类号: | G01R31/308 | 分类号: | G01R31/308 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吕晓章 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了前侧照射装置及方法,一般而言使得在单元组装步骤之前在阵列测试步骤中能够检测a-Si残留物的缺陷。在未暴露给光的情况下,a-Si具有高电阻率,使得在常规TFT阵列测试过程中难以检测。另一方面,当以光照射a-Si残留物时,其电阻率减小,这继而改变TFT阵列单元的电特性,这可利用电压成像光学系统(VIOS)进行检测。在一实施方案中,使得TFT阵列单元暴露在光脉冲的照射下,以在利用VIOS进行的测试期间,影响TFT面板的顶侧。在一实施方案中,前侧照射沿着与VIOS中用于电压成像之照射相同的路径行进。在另一实施方案中,用于前侧照射的(多个)光源位于紧靠VIOS的调制器附近的位置。 | ||
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【主权项】:
一种用于检测测试的面板中的缺陷的系统,该系统包含:a.前侧照射子系统,被配置为传送前侧照射光束至测试的面板上,该前侧照射光束改变所述缺陷的电特性以利于检测所述缺陷;以及b.检测子系统,被配置为基于所述缺陷的已改变的电特性来检测所述缺陷,其中该前侧照射光束被脉冲化并且其持续时间及强度被进行优化以使得所述缺陷的检测最大化并使得伪缺陷的检测最小化,以及其中该前侧照射光束具有与所述缺陷的最大吸收光学特性匹配的波长。
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