[发明专利]用于制造分离地设置在硅基底上的微机械结构部件的方法和由此制造的结构部件有效
| 申请号： | 200980118616.6 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN102036907A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | F·拉尔默;K·特费伦;C·莱嫩巴赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特.博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;梁冰 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，它具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(7)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从一种结晶状态至少部分地转变为非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。在一种实施形式中同时用蚀刻蚀刻分离沟(6)和洞穴(2)。可通过RIF滞后效应对蚀刻深度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 分离 设置 基底 微机 结构 部件 方法 由此 | ||
【主权项】：
用于制造在硅基底(1)上分离设置的微机械结构部件的方法，具有下述步骤：a)通过各向异性等离子深蚀刻方法在基底上制作分离沟(6)；b)用激光(11)对硅基底(1)的形成分离沟(6)的底部的区域(9、12)进行照射，其中，通过在这个区域(9、12)中的照射使硅基底(1)从结晶状态转变为至少部分地非晶质状态；c)在基底(1)中感应机械应力。
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