[发明专利]四金属氧化物半导体场效应晶体管全桥模块无效
| 申请号： | 200980118985.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102047419A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘永;钱丘晓;张江元;迈克·斯皮德;李政泰;卢克·H·郑 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/11;H01L23/34;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种经模制的无引线封装式半导体多芯片模块100，其具有用于全桥电路的四个mosfet 10、12、14、16。所述mosfet可包含两个N-沟道装置及两个P-沟道装置或相同类型的四个mosfet，但四个N-沟道为优选的。在模块100中，存在用于组装所述mosfet的两个引线框30、40。特定来说，所述两个N-沟道装置及所述两个P-沟道装置安置于两个引线框之间且囊封于电绝缘模制化合物84中。所得封装具有暴露于所述模制化合物84中以用于将热从所述mosfet传送到周围环境的四个上部散热片44.1到44.4。不需要线接合。此可显著地减小接通电阻RDSON-顶部或源极-漏极引线框30可焊接到桥mosfet的源极及栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 模块 | ||
【主权项】：
一种经模制的无引线封装式半导体多芯片模块，其包括：第一及第二mosfet对；电绝缘模制化合物，其囊封所述mosfet第一源极散热片阵列及第二漏极散热片阵列，所述源极散热片从所述囊封化合物至少部分地暴露以用于将热从所述源极传送到所述模块的周围环境，所述漏极散热片从所述囊封化合物至少部分地暴露以用于将热从所述漏极传送到所述周围环境；多个无引线触点，其从所述囊封化合物暴露且安置于所述模块的一个表面的共同平面中以用于与所述mosfet的所述源极、栅极及漏极进行电接触。
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