[发明专利]用于抑制巴克豪森噪声的改进的磁传感器设计有效
| 申请号： | 200980119021.2 | 申请日： | 2009-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102047134A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | P·马瑟;郑勇;B·N·恩戈尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体工艺和装置通过只需要两个不同的钉扎轴(206、216)的两个差动传感器配置(201、211)中提供了高性能的磁场传感器，其中每个差动传感器(例如，201)由具有四个未屏蔽MTJ传感器(202-205)的惠斯通电桥结构所形成，这四个未屏蔽MTJ传感器(202-205)中的每一个包括磁场脉冲发生器(例如，414)以选择性地施加场脉冲来稳定或恢复传感层(例如，411)的易轴磁化，从而在小磁场的测量期间消除微磁畴切换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 巴克 噪声 改进 传感器 设计 | ||
【主权项】：
一种场传感器，包括：形成于基板之上的未屏蔽磁性隧道结(MTJ)传感器，包括：具有相对固定的磁方向的第一铁磁层，邻近于所述第一铁磁层形成的隧道势垒层，以及邻近于所述隧道势垒层形成且具有沿着易轴取向的相对自由的磁方向的第二铁磁层，以及形成于一个或多个电介质层内的嵌入的磁场发生器，其中所述嵌入的磁场发生器被定位成生成磁场脉冲，所述磁场脉冲与所述第二铁磁层的所述易轴对准并且被施加以为所述未屏蔽MTJ传感器的测量作准备。
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