[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其具备薄膜晶体管126和薄膜二极管127，薄膜晶体管126的半导体层109t和薄膜二极管127的半导体层109d是通过使同一非晶质半导体膜结晶化而形成的结晶质半导体层，薄膜晶体管126的半导体层109t包括具有促进非晶质半导体膜的结晶化的功能的催化剂元素，薄膜二极管127的半导体层109d实质上不包含催化剂元素。

主权项

一种半导体装置，其具备薄膜晶体管和薄膜二极管，上述薄膜晶体管具有：半导体层，其包括沟道区域、源极区域以及漏极区域；栅极电极，其控制上述沟道区域的导电性；以及栅极绝缘膜，其设置在上述半导体层和上述栅极电极之间，上述薄膜二极管具有至少包括n型区域和p型区域的半导体层，上述薄膜晶体管的半导体层和上述薄膜二极管的半导体层是通过使同一非晶质半导体膜结晶化而形成的结晶质半导体层，上述薄膜晶体管的半导体层包括具有促进上述非晶质半导体膜的结晶化的功能的催化剂元素，上述薄膜二极管的半导体层实质上不包括上述催化剂元素。