[发明专利]AlxGa1-xN单晶和电磁波透过体无效
| 申请号： | 200980119278.8 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102046858A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 荒川聪;樱田隆;宫永伦正;谷崎圭祐;水原奈保;佐藤一成;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。 | ||
| 搜索关键词： | al sub ga 电磁波 透过 | ||
【主权项】：
一种AlxGa1‑xN(0＜x≤1)单晶，所述AlxGa1‑xN单晶在25℃的气氛温度下、在至少向其施加1MHz或1GHz高频信号的情况下，具有5×10‑3以下的介电损耗角正切。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980119278.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：伸缩柱
- 下一篇：产生单不饱和甘油酯的方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
