[发明专利]注入硼烷时在半导体基片上的粒子控制

摘要

本发明公开用于在离子注入期间减少粒子污染的方法，该方法包含提供用于通过离子束(210)将离子注入工件(228)的注入系统(200)，其中一个或多个组件处在选择性的真空下而且具有配置在其上的一个或多个第一状态污染物。引入气体至注入系统(200)，其中该气体大体与一种或多种污染物的至少一部分反应，在其中将该一种或多种污染物的至少一部分转换成第二状态。该第二状态的一种或多种污染物的至少一部分保持配置在该一个或多个组件上，而且其中该第二状态的一种或多种污染物的至少一部分大体而言不会在该一个或多个工件上产生污染。

主权项

一种用于在离子注入一个或多个工件期间减少粒子污染的方法，该方法包含：提供用于通过离子束将离子注入一个或多个工件的离子注入系统，其中该离子注入系统包括在选择性真空下的一个或多个组件，其中该一个或多个组件具有配置在其上的与离子束形成有关的一种或多种污染物，及其中该一种或多种污染物大体处于第一状态；及引入气体至离子注入系统，其中该气体大体与该一种或多种污染物的至少一部分反应，其中大体将该一种或多种污染物的所述至少一部分转换成第二状态，及其中处于第二状态的一种或多种污染物的所述至少一部分保持配置在该一个或多个组件上，其中该第二状态的一种或多种污染物的所述至少一部分优先在该一个或多个工件上产生较低的粒子污染。