[发明专利]制造基于栅控横向晶闸管的随机存取存储器(GLTRAM)单元的方法

摘要

提供一种用以制造基于栅控横向晶闸管存储器装置(gltram)的方法。设置半导体层(406)，该半导体层(406)中包含第一导电性类型的第一、第二、第三和第四阱区(463、471、486、493)。第一栅极结构(465/408)覆盖该第一阱区(463)，第二栅极结构(475/408)覆盖该第二阱区(471)，第三栅极结构(485/408)覆盖该第三阱区(486)且与该第二栅极结构(475/408)成为一体，且第四栅极结构(495/408)覆盖该第四阱区(493)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一侧壁(414)与相邻于第二到第四栅极结构(475/408、485/408、495/408)的侧壁(412、413、416、417、418、419)的侧壁间隔件(467)。此外，形成覆盖该第一阱区(463)的一部分(468)与该第一栅极结构(465/408)的一部分的绝缘间隔块(469)。该绝缘间隔块(469)相邻于该第一栅极结构(465/408)的第二侧壁(415)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一源极区(472)，形成在该第一和第二栅极结构(465/408、475/408)之间的公共漏极/阴极区(474/464)，形成相邻于该第三栅极结构(485/408)的第二源极区(482)，形成在该第三和第四栅极结构(485/408、495/408)之间的公共漏极/源极区(484/492)，并形成相邻于该第四栅极结构(495/408)的漏极区(494)。形成延伸至相邻于在该第一栅极结构(465/408)的该绝缘间隔块(467)之下的该第一阱区(463)中的第一基极区(468)，并形成延伸至相邻于该第一基极区(468)的该第一阱区(463)中的该第一阱区(463)中的阳极区(466)。

主权项

一种用于制造存储器装置的方法，该方法包括下列步骤：设置半导体层(406)，该半导体层(406)中包括第一导电性类型的第一、第二、第三和第四阱区(463、471、486、493)，第一栅极结构(465/408)覆盖该第一阱区(463)，第二栅极结构(475/408)覆盖该第二阱区(471)，第三栅极结构(485/408)覆盖该第三阱区(486)且与该第二栅极结构(475/408)成为一体，以及第四栅极结构(495/408)覆盖该第四阱区(493)；形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一侧壁(414)与相邻于该第二到第四栅极结构(475/408、485/408、495/408)的侧壁(412、413、416、417、418、419)的侧壁间隔件(467)、以及覆盖该第一阱区(463)的一部分(468)与该第一栅极结构(465/408)的一部分的绝缘间隔块(469)，该绝缘间隔块(469)相邻于该第一栅极结构(465/408)的第二侧壁(415)；形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一源极区(472)、在该第一栅极结构(465/408)和第二栅极结构(475/408)之间的公共漏极/阴极区(474/464)、相邻于该第三栅极结构(485/408)的第二源极区(482)、在该第三栅极结构(485/408)和第四栅极结构(495/408)之间的公共漏极/源极区(484/492)、以及相邻于该第四栅极结构(495/408)的漏极区(494)；以及形成延伸至相邻于在该第一栅极结构(465/408)的该绝缘间隔块(467)之下的该第一阱区(463)中的第一基极区(468)、以及延伸至相邻于该第一基极区(468)的该第一阱区(463)中的在该第一阱区(463)中的阳极区(466)。