[发明专利]用于膜沉积的碲前体

摘要

本发明公开了用于在基底上沉积含碲膜的方法和组合物。提供了反应器和放置在该反应器内的至少一个基底。提供含碲前体并将其引入反应器内，该反应器保持在至少100℃的温度。通过沉积方法使碲沉积在基底上，以在该基底上形成薄膜。

主权项

在基底上形成含碲膜的方法，包括：a)提供反应器和至少一个放置在其中的基底；b)将碲前体引入所述反应器内，其中该碲前体具有下述通式之一：‑(XR1R2R3)Te(XR4R5R6)         (I)‑(‑(R1R2X)nTe‑)y              (IIa)‑(‑(R1R2X)nTe(XR3R4)m‑)y      (IIb)‑(‑(R1R2X)nTe(XR3R4)mTe‑)y    (IIc)‑Te(XNR1CR2R3CR4R5NR6)        (III)‑Te(XNR1CR2＝CR3NR4)          (IV)其中：‑X为碳、硅、或锗；‑n和m为选自0、1和2的整数；‑在式(IIa)和(IIb)中，y为选自2、3和4的整数；‑在式(IIc)中，y为选自1、2和3的整数；‑各R1‑6独立地选自：H、C1‑C6烷基、C1‑C6烷氧基、C1‑C6烷基甲硅烷基、C1‑C6全氟碳、C1‑C6烷基甲硅烷氧基、C1‑C6烷基氨基、烷基甲硅烷基氨基、以及氨基酰胺基；c)使所述反应器保持在至少约100℃的温度；以及d)使所述碲前体分解在所述基底上，以形成含碲膜。