[发明专利]采用下降电压的存储器单元有效
| 申请号： | 200980119970.0 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102047339A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | D·G·米坎;H·梅尔;T·W·休斯敦;M·P·克林顿 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/22;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器阵列，该存储器阵列具有耦合到存储器阵列的读取字线和写入字线的存储器单元(40)，以及读取和写入存储器单元的外围电路。存储器单元包含存储元件(42)，以便存储在至少一个功能性操作期间以下降电压供电的存储器单元的逻辑状态，并且该存储器单元包含写入访问电路，该写入访问电路配置为响应写入字线上的写入信号，将存储元件连接到存储器阵列中的至少第一写入位线(44)，以便将逻辑状态写入存储器单元。该存储器单元进一步包含读取访问电路，该读取访问电路包括连接到存储元件的输入节点和连接到存储器阵列的读取位线的输出节点。读取访问电路被使能并且被配置为响应读取字线上的读取信号，读取存储元件的逻辑状态。下降电压是相对于与存储器单元的读取和/或写入有关的至少一个外围电路的外围操作电压下降的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 下降 电压 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器设备，具有多个存储器单元和外围电路，每个存储器单元都耦合到读取字线和写入字线，所述外围电路用于读取和写入所述存储器单元，每个存储器单元都包含：存储元件，其存储在至少一个功能性操作期间以下降电压供电的所述存储器单元的逻辑状态；读取访问电路，其包括连接到所述存储元件的输入节点和连接到所述存储器阵列的读取位线的输出节点，所述读取访问电路被使能并被配置为响应所述读取字线上的读取信号读取所述存储元件的所述逻辑状态；写入访问电路，其被配置为响应所述写入字线上的写入信号，将所述存储元件连接到所述存储器阵列中的至少第一写入位线，以便向所述存储器单元写入所述逻辑状态；以及其中所述下降电压是相对于与所述存储器单元的读取和/或写入有关的至少一个外围电路的外围操作电压下降的电压。
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