[发明专利]光电池和光电池的基材无效
申请号: | 200980120170.0 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN102047435A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | E·彼得 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及具有尤其基于镉的吸收性光电材料的光电池(1),所述电池包含尤其为透明玻璃基材的正面基材(10),其在主表面上包括由薄层叠层构成的透明电极涂层(100),该薄层叠层包括至少一个透明导电层,尤其是基于任选掺杂的氧化锌的透明导电层,特征在于电极(100)包含至少一个导电光滑层(22)。 | ||
搜索关键词: | 光电池 基材 | ||
【主权项】:
具有基于镉的吸收性光电材料的光电池(1),所述电池包含正面基材(10),尤其是透明玻璃基材,其在主表面上包括由薄层叠层构成的透明电极涂层(100),该薄层叠层包括至少一个透明导电层,尤其是基于掺杂的氧化锌的透明导电层,特征在于电极(100)包含至少一个基于Al掺杂的氧化锡SnO2、基于混合氧化锡锌锑SnxZnySbzOw、基于混合氧化锡锌铝SnxZnyAlzOw导电光滑层(22),任选地为非化学计量的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的