[发明专利]用光电导宽带隙半导体作可变电阻器来调制电信号的系统和方法有效

专利信息
申请号: 200980120263.3 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN102047443A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 约翰·R·哈里斯;乔治·J·卡普拉索;斯蒂芬·E·桑帕扬 申请(专利权)人: 劳伦斯利弗莫尔国家安全有限责任公司
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08;G02F1/03;H03C1/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张天舒
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于产生经调制的电信号的系统和方法。该系统使用具有光电导宽带隙半导体材料的可变电阻器,该材料对入射辐射幅度变化的电导响应在电导响应的整个非饱和区域内实质为线性,从而能够工作在非雪崩模式。该系统还包括如调制激光器之类的调制辐射源,用来产生调幅辐射以将该调幅辐射直接照射到可变电阻器上并对该可变电阻器的电导响应进行调制。电压源和输出端口二者都可操作地连接到可变电阻器,使得或者由可变电阻器的激活来产生、或者传播通过可变电阻器来在输出端口处产生电信号。以此方式,由可变电阻器调制电信号,从而使该电信号具有与调幅辐射实质相似的波形。
搜索关键词: 用光 电导 宽带 半导体 可变 电阻器 调制 电信号 系统 方法
【主权项】:
一种用于产生经调制的电信号的系统,该系统包括:包含光电导宽带隙半导体材料的可变电阻器,该光电导宽带隙半导体材料对入射辐射幅度变化的电导响应在电导响应的整个非饱和区域内实质为线性,从而能够工作在非雪崩模式;调制辐射源,用来产生调幅辐射,以将该调幅辐射直接照射到可变电阻器上并对该可变电阻器的电导响应进行调制;以及电压源和输出端口,二者都可操作地连接到可变电阻器,使得通过可变电阻器在输出端口处产生的电信号被可变电阻器调制,从而使该电信号具有与调幅辐射实质相似的波形。
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