[发明专利]五氧化二钽取向膜的制造方法有效
| 申请号： | 200980120508.2 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102046839A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 维什瓦纳特·巴特;瓦西尔·安东诺夫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示形成氧化物的方法，所述方法包括使含钌材料(130)与含钽前驱物接触，和使所述含钌材料与包括水且任选地包括分子氢(H2)的蒸汽接触。还揭示包括第一结晶五氧化二钽(140)和在所述第一结晶五氧化二钽的至少一部分上的第二结晶五氧化二钽(150)的物品，其中所述第一五氧化二钽所具有的结晶取向不同于所述第二结晶五氧化二钽的结晶取向。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 取向 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氧化物的方法，其包含：使含钌材料与包含含钽前驱物的第一蒸汽接触；提供包含一个或多个入口流和一个出口流的水蒸汽发生器，其中所述出口流包含水；和使所述含钌材料与所述出口流在有效在其上形成结晶五氧化二钽的条件下接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980120508.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
