[发明专利]钨烧结体溅射靶有效
| 申请号： | 200980120540.0 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102046822A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 铃木了;小田国博 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;B22F3/105;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，磷含量为1重量ppm以下，其余为其它不可避免的杂质和钨。钨的异常晶粒生长和靶强度下降受到磷含量的显著影响，特别是磷超过1重量ppm的情况下，在钨靶中存在异常生长的结晶粒子，因此强烈认识到钨中含有的磷为有害的杂质，并且应进行控制以使其尽可能少，以防止钨的异常晶粒生长和提高靶制品成品率是本发明的课题。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 溅射 | ||
【主权项】：
一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，磷含量为1重量ppm以下，其余为其它不可避免的杂质和钨。
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