[发明专利]基于模型的扫描器调节方法有效
| 申请号： | 200980120711.X | 申请日： | 2009-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102057330A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 叶军;曹宇;罗纳德·古森斯;邵文晋;吉姆·库梅恩 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于调整光刻过程的系统和方法。提供目标扫描器的模型，相对于一系列的可调整的参数限定目标扫描器的灵敏度。微分模型表示目标扫描器相对于参考物的偏差。可以基于参考扫描器的设置和微分模型调整目标扫描器。相关的扫描器族的性能可以相对于参考扫描器的性能进行表征。微分模型可以包括例如参数偏移量和可以用于模拟成像行为中的差异的其他差异的信息。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 模型 扫描器 调节 方法 | ||
【主权项】：
一种用于使用相应的模型调整光刻设备的方法，包括步骤：提供光刻过程模型，所述光刻过程模型表征使用光刻设备的对于晶片的给定层的光刻过程的成像行为，所述光刻过程模型经受有关光刻设备的一系列可调整的参数的改变；使用设计布局和光刻过程模型在给定层中生成模拟的晶片轮廓；识别在模拟的晶片轮廓中相对于参考物的差异；用价值函数将所述差异量化；和对所述生成和识别步骤进行迭代以最小化价值函数并获得模拟的晶片轮廓相对于参考物的所需的收敛程度，其中在执行每一次迭代之前调整光刻设备的至少一个可调整的参数。
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