[发明专利]快速衬底支撑件温度控制有效
申请号: | 200980120803.8 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102057476A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 理查德·弗威尔;保罗·比瑞哈特;桑·音·伊;安尼苏尔·H·卡恩;吉维克·帝尼威;谢恩·奈威尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/3065;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/324 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于控制衬底支撑件温度的方法和设备。在部分实施例中,用于控制衬底支撑件的温度的设备包括第一热传递回路和第二热传递回路。第一热传递回路具有第一浴槽,且该第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体。第二热传递回路具有第二浴槽,且该第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体。第一温度可以与第二温度为相同或不同。可以提供第一和第二流量控制器,以各别将第一和第二热传递流体提供到衬底支撑件。一个或多个回流管路可以将衬底支撑件的一个或多个出口耦接到第一和第二浴槽,用以使得第一和第二热传递流体回流到第一和第二浴槽。 | ||
搜索关键词: | 快速 衬底 支撑 温度 控制 | ||
【主权项】:
一种用于控制衬底支撑件的温度的设备,包括:第一热传递回路,其具有第一浴槽,所述第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体,并利用第一流量控制器来将所述第一热传递流体提供到所述衬底支撑件;第二热传递回路,其具有第二浴槽,所述第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体,并利用第二流量控制器来将所述第二热传递流体提供到所述衬底支撑件;以及一个或多个回流管路,其将所述衬底支撑件的一个或多个出口耦接到所述第一浴槽和所述第二浴槽,来使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体回流到所述第一浴槽和所述第二浴槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980120803.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种地下连续墙接头及其制作方法
- 下一篇:用于等离子处理设备的喷头电极总成
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造