[发明专利]具有独立的读取和写入存取晶体管的栅极横向晶闸管随机存取存储器(GLTRAM)单元及具有该GLTRAM的存储器器件和集成电路有效
| 申请号： | 200980120970.2 | 申请日： | 2009-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102084427A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵炫真 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/39 | 分类号： | G11C11/39;H01L27/102;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种存储器器件(340)，其包括写入位线(452)、读取位线(454)和至少一个存储器单元(410)。该存储器单元(410)包括写入存取晶体管(470)、耦合于该读取位线(454)并耦合于该第一写入存取晶体管(470)的读取存取晶体管(480)和耦合于该第一写入存取晶体管(470)的栅极横向晶闸管(GLT)器件(460)。通过解耦该读取和写入位线(454，452)，该存储器单元(410)阻止读取操作过程中的读取干扰，这是其许多特征之一。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 读取 写入 存取 晶体管 栅极 横向 晶闸管 随机存取存储器 gltram 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元(410)，包含：栅极横向晶闸管(GLT)器件(460)；写入存取晶体管(470)，其耦合于所述栅极横向晶闸管(GLT)器件(460)，用于控制写入存取；以及读取存取晶体管(480)，其耦合于所述写入存取晶体管(470)，用于控制读取存取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司，未经超威半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980120970.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浮置栅极之上的电介质盖
- 下一篇：变压器铁芯接地电流在线监测系统
