[发明专利]负载电路的过电流保护装置

摘要

一种能够以高精度检测过电流而不受半导体元件(T1)的导通电阻的偏差±ΔRon影响的负载电路的过电流保护装置。假定电阻器R3与电阻器R1之间的比率(R3/R1)是放大系数m，由电阻器R4、R5生成的判定电压是V4，而MOSFET(T1)的导通电阻的平均值是Ron，负载电路的过电流保护装置控制流经电阻器R3的电流，使得当具有电流值(V4/m/Ron)的电流流入到MOSFET(T1)时，比较器CMP1的输出信号反转。例如，当导通电阻的偏差±ΔRon具有正值时，通过从电流I1中减去与该偏差±ΔRon成比例的电流ΔI1而生成电流I3。相反地，当导通电阻的偏差±ΔRon具有负值时，通过使与该偏差±ΔRon成比例的电流ΔI1与电流I1相加而生成电流I3。

主权项

一种用于保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置，该负载电路包括电源、负载和设置在该电源和该负载之间的第一半导体元件(T1)，所述第一半导体元件(T1)的第一主电极连接于所述电源的正极端子，而所述第一半导体元件(T1)的第二主电极经由所述负载而连接于所述电源的负极端子，所述过电流保护装置包括：放大部(AMP1)，该放大部包括与所述第一半导体元件(T1)的第二主电极相连的非反相端子；第一电阻器(R1)，该第一电阻器包括与所述第一半导体元件(T1)的第一主电极相连的一端，以及与所述放大部(AMP1)的反相端子相连的另一端；第三电阻器(R3)；第二半导体元件(T2)，该第二半导体元件包括第一主电极、第二主电极和控制电极，该第一主电极经由所述第三电阻器(R3)接地，该第二主电极连接于一点，该点是所述第一电阻器(R1)与所述放大部的反相端子之间的连接点，而该控制电极连接于所述放大部的输出端子；以及比较器(CMP1)，该比较器包括一个输入端子和另一个输入端子，该一个输入端子被施加有在所述第二半导体元件(T2)与所述第三电阻器(R3)之间的连接点(点e)处的电压(V3)，而该另一个输入端子被施加有判定电压(V4)，该判定电压(V4)是通过对所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的电压(V1)以电阻比(R4∶R5)分压而产生的，其中，在具有电流值(V4/m/Ron)的电流流入到所述第一半导体元件(T1)，并且所述导通电阻大于该导通电阻平均值(Ron)的情况下，通过在点a处从流经所述第一电阻器的电流(I1)中减去与所述导通电阻的偏差(ΔRon)成比例的电流(ΔI1)所获得的电流流经所述第三电阻器，使得所述比较器(CMP1)的输出信号反转，其中所述值(m)是通过将所述第三电阻器(R3)的电阻值除以所述第一电阻器(R1)的电阻值所获得的，所述电流值(V4/m/Ron)是通过用所述判定电压(V4)除以值(m)再除以所述第一半导体元件(T1)的导通电阻的平均值(Ron)而获得的。