[发明专利]发射调谐方法和利用方法制造的器件有效
| 申请号： | 200980121201.4 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102047456A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | A·奇特尼斯;J·埃德蒙;J·C·布里特;B·P·克勒;D·T·埃默森;M·J·伯格曼;J·S·凯巴卢 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管，并用转换材料涂敷所述发光二极管，以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光，典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量，并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除，以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片，其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内，以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工，晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 调谐 方法 利用 制造 器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，所述方法包括：提供多个发光二极管；用转换材料涂敷所述发光二极管，以使来自所述发光二极管的至少一些光穿过所述转换材料并被转换；测量至少一些所述发光二极管芯片的发射特性；以及移除至少一些所述发光二极管上的至少一些所述转换材料，以改变所述发光二极管芯片的所述发射特性，使得所述发光二极管芯片在目标发射特性的范围内发射。
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