[发明专利]金属渗透的碳化硅钛和碳化铝钛坯体无效
| 申请号： | 200980121226.4 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102056863A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·约瑟夫·皮茨克;尼古拉斯·迈伦·申克尔;罗伯特·阿兰·纽曼;克利福德·斯科特·托德;埃米·怀特泽尔 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术公司 |
| 主分类号： | C04B35/71 | 分类号： | C04B35/71;C04B35/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过下列方法制备金属如铜或铝与碳化硅钛或碳化铝钛陶瓷材料的致密化的复合材料：将陶瓷材料形成为坯体，并且用熔融金属渗透所述坯体。金属能够快速穿透到晶界之间的空隙空间中并且甚至进入到陶瓷晶粒的晶体结构中以形成复合材料。起始陶瓷材料可以预先被致密化，在此情况下可以容易地制备各种类型的梯度结构。该方法可以在低压操作，因此可以避免通常必须用于将这些陶瓷材料致密化的热压方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 渗透 碳化硅 碳化 铝钛坯体 | ||
【主权项】：
一种用于形成金属与碳化硅钛或碳化铝钛起始陶瓷材料的复合材料的方法，所述方法包括：形成包含所述碳化硅钛或碳化铝钛起始陶瓷材料的起始坯体，并且在比所述金属的熔融温度高，但比所述陶瓷材料的分解温度低的温度，将所述起始坯体与所述金属接触，接触时间足以使得所述金属的至少一部分渗透到所述起始坯体中，从而形成复合材料，然后将得到的复合材料冷却至低于所述金属的熔融温度。
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