[发明专利]涂覆半导体晶片的背面的方法无效
| 申请号： | 200980121608.7 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102057473A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | H·俞 | 申请（专利权）人： | 汉高有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供将涂料沉积到半导体晶片整个背面上的方法。本发明的方法解决了一般与在半导体晶片背面上沉积涂料有关的不足。因为本发明的方法产生其中涂料自始至终地被分配至晶片边缘的晶片，所以使切割期间的芯片飞扬最小化，以及晶片破损和芯片破损最小化。另外，当与传统的旋转涂布方法相比时，本发明的方法导致损耗的显著减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 背面 方法 | ||
【主权项】：
将涂料沉积到半导体晶片的整个背面上的方法，包括：(a)提供半导体晶片，(b)将所述涂料沉积至所述晶片的所述背面上，其中所述涂料不沉积在所述晶片的边缘，和其后(c)旋转所述晶片以便在步骤(b)中沉积的所述涂料流动至所述晶片的边缘，从而在半导体晶片的整个背面上沉积涂料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
